蝕刻角度?是指刻蝕過程中,刻蝕方向與表面法線之間的夾角。理想的蝕刻角度接近90°,即垂直于表面,但實(shí)際情況中,蝕刻角度通常是傾斜的,形成錐形結(jié)構(gòu)?。
影響因素
?1.射頻功率?:在ICP-RIE刻蝕過程中,射頻功率對(duì)蝕刻角度有顯著影響。增大ICP-source的功率會(huì)增加等離子體濃度,導(dǎo)致化學(xué)作用增強(qiáng),從而使側(cè)壁角度變??;增大偏置電源的功率會(huì)增加正離子的動(dòng)能,物理轟擊增強(qiáng),使側(cè)壁角度更陡直。?
?2.基板旋轉(zhuǎn)?:在角度蝕刻系統(tǒng)中,基板的旋轉(zhuǎn)角度也會(huì)影響蝕刻角度。通過調(diào)整基板的旋轉(zhuǎn)角,可以控制光柵的傾斜角?。
實(shí)際應(yīng)用
?垂直角度?:垂直角度適用于高密度互連的要求,可以避免錐形角度帶來的空間浪費(fèi)?。
?錐形角度?:錐形角度在填孔工藝中更為有效,可以降低填孔難度?。
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