蝕刻角度?是指刻蝕過程中，刻蝕方向與表面法線之間的夾角。理想的蝕刻角度接近90°，即垂直于表面，但實(shí)際情況中，蝕刻角度通常是傾斜的，形成錐形結(jié)構(gòu)?。

影響因素

?1.射頻功率?：在ICP-RIE刻蝕過程中，射頻功率對(duì)蝕刻角度有顯著影響。增大ICP-source的功率會(huì)增加等離子體濃度，導(dǎo)致化學(xué)作用增強(qiáng)，從而使側(cè)壁角度變??；增大偏置電源的功率會(huì)增加正離子的動(dòng)能，物理轟擊增強(qiáng)，使側(cè)壁角度更陡直。?

?2.基板旋轉(zhuǎn)?：在角度蝕刻系統(tǒng)中，基板的旋轉(zhuǎn)角度也會(huì)影響蝕刻角度。通過調(diào)整基板的旋轉(zhuǎn)角，可以控制光柵的傾斜角?。

實(shí)際應(yīng)用

?垂直角度?：垂直角度適用于高密度互連的要求，可以避免錐形角度帶來的空間浪費(fèi)?。

?錐形角度?：錐形角度在填孔工藝中更為有效，可以降低填孔難度?。