刻蝕工藝質(zhì)量評(píng)價(jià)

1）刻蝕速率

刻蝕速率是指在蝕刻過程中被去除的材料的速率，通常以單位時(shí)間內(nèi)的厚度減少量來表示，單位通常是納米/秒（nm/s）或埃/秒（?/s）。厚度可用膜厚儀、臺(tái)階儀或SEM等表征。

2）刻蝕選擇比

在刻蝕過程中，被刻蝕物質(zhì)上層的抗蝕劑（如光刻膠）或下層的物質(zhì)這些本來不需要被刻蝕的膜層會(huì)同時(shí)遭到刻蝕，那么在抗蝕劑和刻蝕材料間需要有一個(gè)定義，即刻蝕選擇比。

刻蝕選擇比=被刻蝕材料的速率/掩膜材料的速率

在微納加工中，刻蝕選擇比是一個(gè)重要的參數(shù)，它決定了在蝕刻過程中目標(biāo)材料相對(duì)于掩模材料的去除速率。通常情況下，刻蝕選擇比越高，表示目標(biāo)材料相對(duì)于掩模材料的去除速率越快，蝕刻過程更具有選擇性。高刻蝕選擇比對(duì)于制造微納米結(jié)構(gòu)和器件至關(guān)重要，因?yàn)樗梢源_保所需的結(jié)構(gòu)只在特定的區(qū)域進(jìn)行蝕刻，而不影響其他區(qū)域。  

3）均勻性

均勻性通常用于刻蝕速率在整個(gè)晶片上的一致性情況。衡量刻蝕工藝在整個(gè)晶片上，或整個(gè)一批，或批與批之間刻蝕能力的參數(shù)。（片內(nèi)、片間及批間）。Emax為zui大值，Emin為zui小值，Eave為平均值。

4）刻蝕偏差

刻蝕以后線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化?？涛g工藝之后線寬、圖形高度、深度等尺寸的變化。只要涉及化學(xué)反應(yīng)就一定或多或少存在側(cè)蝕，有效利用側(cè)蝕可以實(shí)現(xiàn)一些特殊結(jié)構(gòu)。

5）刻蝕角度

刻蝕角度通常是指刻蝕過程中垂直于表面的刻蝕方向與表面水平線之間的夾角?？涛g角度可以通過控制刻蝕速率的比例來實(shí)現(xiàn)。